Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
Affiliation
Département de Physique
Auteur
BOUMAZA, Mohamed
Directeur de thèse
LAMARI Saadi (Professeur)
Filière
Physique
Diplôme
Doctorat
Titre
Relaxation dans les semiconducteurs
Mots clés
electron-phonon interaction, spin relaxation, momentum relaxation, heterostructures
Résumé
La relaxation des porteurs de charge excités dans les semiconducteurs massifs et dans les heterostructures joue un rôle primordial car elle détermine entre autres un grand nombre de quantités physiques mesurables telles que la mobilité, et la polarisation de la lumière émise lors de la photoluminescence. Le travail du candidat dans ce sujet concerne l’étude théorique quantitatives de différents processus de relaxation dans les hétéostructures à semiconducteurs telles que GaAs/AlAsGa par exemple, en particulier le calcul des différents temps de relaxation et leur comparaison avec l’expérience. Eventuellement l’étude contribuera à optimiser le fonctionnement de nouveaux dispositifs électroniques tel que le transistor à effect de champ à gaz électronique polarisé.
Statut
Vérifié