Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
Affiliation
Département de Physique
Auteur
ABDELKRIM, Benarroudj
Directeur de thèse
Noureddine Benouattas (Professeur)
Co-directeur
Kamel Kassali (Professeur)
Filière
Physique de Solide
Diplôme
Magister
Titre
Cinétiques et mécanismes de croissance de composés bimétalliques et de siliciures dans les structures à base de cobalt et de silicium
Mots clés
silicium, cobalt, nickel, siliciure, CoSi, CoSi. 2 , NiSi, germination, diffusion, diagramme de phase, RBS, évaporation, recuit, GIXRD, MEB
Résumé
Le présent travail porte sur l’étude de formation de siliciures à partir du système Ni/Co/Si(111). Les échantillons sont obtenus par dépôt d’une bicouche métallique de cobalt et de nickel par évaporation sous vide sur un substrat de silicium monocristallin orienté (111). Pour amorcer la réaction de siliciuration en phase solide, ces échantillons ont subi différents recuits (300, 500, 700, 900°C). Nous avons utilisé trois techniques de caractérisation, à savoir, la diffraction des rayons X sous incidence rasante (GIXRD), la spectroscopie de rétrodiffusion de Rutherford (RBS) et la microscopie électronique à balayage, pour suivre l’évolution de nos échantillons en fonction du recuit subi. Après analyse des résultats obtenus, nous avons remarqué que la formation de siliciure est observable à partir de la température de 700°C par la présence de la phase du siliciure de cobalt CoSi et le début de formation de la phase CoSi2 Le décalage angulaire des pics de diffraction de la phase CoSi qui devient majoritaire à 900°C. Les images MEB nous a permis de constater l’évolution de l’état de la surface de nos échantillons qui devient plus rugueuse en augmentant la température. 2 vers les petits angles annonçant une augmentation du volume de sa maille et l’interdiffusion des éléments Co, Ni, Si observée par RBS, nous a mené à croire qu’il y a formation de la solution solide (CoSi2-Ni) ou plus probablement la formation d’un siliciure ternaire de type CoxNi1-xSi2 Mots-clés : silicium, cobalt, nickel, siliciure, CoSi, CoSi. 2 , NiSi, germination, diffusion, diagramme de phase, RBS, évaporation, recuit, GIXRD, MEB.
Date de soutenance
2012
Cote
TH882
Pagination
83 P
Format
CD
Statut
Soutenue