Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
Affiliation
Département de Mécanique de Précision
Auteur
FALOUAT, Adel Yamine
Directeur de thèse
H. Guessas (Maitre de conférence)
Co-directeur
A.Aissat (Maitre de conférence)
Filière
Optique et Mécanique de Précision
Diplôme
Doctorat
Titre
Modélisation des structures Semi-conducteurs en Couches Minces CIGS pour le Photovoltaïque
Mots clés
couche mince CIGS, Cds, défaut électrique
Résumé
Les actions sur les cellules à base de CIGS( CuInGaSe), engagées ou à venir, visent tout d’abord une analyse fine des défauts électriquement actifs afin de comprendre leur impact sur les propriétés de transport électronique ainsi que sur la qualité de l’hétérojonction et, de façon plus générale, des interfaces, éléments qui sont directement corrélés au rendement photovoltaïque de la cellule. Cette compréhension est en effet indispensable pour que tout le potentiel de cette filière, qui détient le record de toutes les filières en couches minces, puisse se traduire sur des substrats de grande taille à l’échelle industrielle. L’objectif de notre echerche est de remplacer la couche tampon de CdS afin d’éliminer le cadmium, et, d’autre part, les alliages de plus grand gap que le CIS (1,1 eV), en jouant sur la concentration de gallium pour optimiser un matériau CIGS mieux adapté au spectre solaire, ouvrant aussi la voie aux cellules tandem CIS-CIGS. On vise aussi une réduction de l’épaisseur de l’absorbeur CIGS voire jusqu’à 0,1 mm. Ceci devrait permettre une baisse significative des prix de production à travers une diminution très importante de la quantité d’indium, peu abondant et donc relativement onéreux, ainsi qu’à travers la réduction du temps de réalisation de la cellule.
Statut
Validé