Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
Affiliation
Département de Mécanique de Précision
Auteur
BAKIR, Zoubida
Directeur de thèse
Belkhir Nabil (Maitre de conférence)
Filière
Optique et Mécanique de Précision
Diplôme
Doctorat
Titre
Étude des paramètres technologiques du procédé de polissage mécano-chimique des semi-conducteurs et des vitrocéramiques.
Mots clés
Polissage mécano-chimique, surface, semi-conducteurs, silicium
Résumé
Actuellement le procédé de polissage mécano-chimique dit CMP est utilisé dans l’industrie des semi-conducteurs. Il a pour objectif d’obtenir des surfaces de très haute qualité sur des substrats en silicium (wafers). Il permet de traiter les couches déposées sur le silicium. Cette technique fait intervenir deux actions chimique et mécanique. L’action chimique consiste à attaquer la surface par des agents chimiques adéquat selon le matériau à polir par contre les grains abrasifs sont utilisés pour enlever la matière. A travers cette étude, on veut maîtriser ce procédé et l’appliquer dans l’industrie des semi-conducteurs.
Statut
Validé