Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de M’Sila - Mohamed Boudiaf
Affiliation
Institut de Physique
Auteur
Yousfi, Samia
Directeur de thèse
N. BOUARISSA
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Magister
Titre
ETUDE DE LA NATURE DE LA LIAISON CHIMIQUE PAR L’INTERMEDIAIRE DE LA STRUCTURE DE BANDE DANS LES SEMICONDUCTEURS
Mots clés
Key words: band structure, charge density Pseudopotential, chemical bonds, Semiconductors Les mots clés: structure de bande, densité de charge, Pseudopotentiel, liaisons chimiques, Semiconducteurs.
Résumé
Abstract Due to the importance that semiconductors play in science and technology, a great interest has been brought to the knowledge of these materials. In particular to the study of their electronic and structural properties, more particularly those of chemical bonds. The purpose of this work is to study the chemical tendency as well as the bonds in the semiconductors crystallizing in the diamond and zinc blend (Sphalite) phase: IV-IV: Ge, Si III-V:GaAs, GaSb, InSb,InAs,AlAs,AlSb,InP, Gap, InN ,AlN II-VI: ZnS, ZnSe, MgS, MgSe, This, by calculating the band structure which became a practical and judicious way to the interpretation and analysis of a large number of properties. This study was applied by using the method called Local Empirical PseudoPotential (E.P.M). The comparison between the obtained results and those of the available literatures has revealed a good concordance. This let us to conclude that the adopted method in this study is very successful in describing the electronic states of the materials studied in this work. Résume Du fait de l’importance des semi-conducteurs dans la science et la technologie, un immense intérêt a été apporte à la connaissance de ces matériaux,notamment a l’étude de leurs propriétés électroniques et structurales, en particuliers celles des liaisons chimiques. Le but de ce travail est l’étude de la tendance chimique ainsi que les liaisons dans les semi-conducteurs cristallisant dans la phase diamant et zinc blende: IV-IV: Ge, Si III-V:GaAs, GaSb, InSb,InAs,AlAs,AlSb,InP, Gap, InN ,AlN II-VI: ZnS, ZnSe, MgS, MgSe Cela par le biais du calcul de la structure de bande qui est devenu un moyen pratique et judicieux pour l’interprétation et l’analyse d’un nombre considérable de propriétés. Cette étude a été appliquée en utilisant la Méthode dite de Pseudo potentiel Empirique local (E.P.M). La confrontation des résultats obtenus avec ceux disponibles dans les différentes littératures révèle une bonne concordance.Ce qui nous permet de conclure que la méthode adoptée dans cette étude est très valide dans la description des états électroniques des matériaux étudies dans le cadre de ce travail.
Date de soutenance
08/07/ 2004
Pagination
83
Format
pdf
Statut
Traitée