Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de M’Sila - Mohamed Boudiaf
Affiliation
Institut de Physique
Auteur
Mezrag, Fadila
Directeur de thèse
MrN. Bouarissa
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Magister
Titre
Effet du désordre compositionnel sur les propriétés optoélectroniques et diélectriques de l’alliage ternaire semiconducteur GaAsxSb1-x
Résumé
Résumé : En utilisant la méthode des pseudopotentiels empirique (E.P.M) avec l’approximation du cristal virtuel (VCA) avec et sans tenir compte de l’effet du désordre compositionnel, les propriétés optoélectroniques de l’alliage ternaire GaAsxSb1-x ont été étudié. Nos résultats présentent généralement un bon accord avec les données de l’expérience. Notre matériau est trouvé qu’il présente des transitions de gap directe et indirecte fonction de la variation de la concentration molaire. Cette méthode est combiné au model de Harrison est employée pour le calcul des constantes diélectriques et leur dépendance en composition. Abstract Based on the pseudopotential scheme under the virtual crystal approximation in which the effect of compositional disorder is involved, the dependence of optoelectronic properties of GaAsxSb1-x on alloy composition x have been studied. Our results showed generally good agreement with the available experimental data. The material of interest is found to exhibit features of both direct and indirect band-gap semiconductor depending on the alloy composition x. The method used has been combined with the Harrison bond-orbital model and employed to calculate the dielectric constants and their composition dependence
Date de soutenance
le:30 / 06 / 2003
Pagination
130
Format
pdf
Statut
Traitée