Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de M’Sila - Mohamed Boudiaf
Affiliation
Institut de Physique
Auteur
CHAMI, Sabah
Directeur de thèse
Lamari Saadi
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Magister
Titre
Etude Théorique des Propriétés Electroniques, Structurales et Elastiques des Semi-Conducteurs et leurs Super-réseaux
Mots clés
Key words: Ab initio Calculation, Semiconductor, Superlattice, Elasticity Mots Clés : Calcul Ab initio, Semiconducteurs, Super-réseaux, Elasticité الكلمات المفتاحية : حساب انصاف النواقل، الشبكات الاعضمية، المرونية. ، ab initio
Résumé
ملخص هدا العمل يتمثل في الدراسة النظرية للخصائص الالكترونية ، المر ونية والبنيوية لبعض أنصاف نعتمد في حسابنا على طريقتين مختلفتين بالاخص طريقة . ab initio بطرق VΙ-ΙΙ و V-ΙΙΙ النواقل و الطريقة الأقل تكلفة و المسماة بالتقريب الشبه الكموني . FP-LAPW في هدا العمل قمنا بحساب المقادير التالية: ثابت الشبكة، الطاقة الكلية، البنية الالكترونية و الثوابت المرونية. ومن جهة أخرى نقوم بحساب نفس المقادير الفيزيائية عندما نغير الهندسة البنيوية لتشكيل شبكات أعضمية انطلاقا من نفس انصاف النواقل. انصاف النواقل، الشبكات الاعضمية، المرونية. ، ab initio Résumé Le présent travail concerne l’étude théorique par des méthodes ab initio des propriétés électroniques, élastiques et structurales de quelques semi-conducteurs IIIV et II-VI .les calculs utilisent deux méthodes différentes, notamment la FP-LAPW et la méthode moins coûteuse du pseudo potentiel. On calcule dans ce travail les grandeurs suivantes : paramètre de maille, énergie totale, structure électronique et constantes élastiques .En outre on calculera éventuellement les mêmes grandeurs physiques lorsqu’on change la géométrie en formant des super-réseaux à partir de ces mêmes semi-conducteurs. Abstract This work relates to the theoretical study with ab initio methods of the electronic, elastic and structural properties of some semiconductors III-V and II-VI. the calculations use two different methods, in particular the FP-LAPW and the less expensive method of the pseudopotential. We calculate in this work: parameter of lattice, total energy, structure electronic and elastic constants. In addition to, one will calculate possibly same the physical sizes when one changes the geometry into forming superlattice starting from these same semiconductors.
Date de soutenance
23/06/2009
Pagination
109
Format
pdf
Statut
Traitée