Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de M’Sila - Mohamed Boudiaf
Affiliation
Institut de Physique
Auteur
BARKA, Fatiha
Directeur de thèse
N. BOUARISSA
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Magister
Titre
LA CORRELATION ENTRE L’IONICITE ET LES FACTEURS DE FORME SYMETRIQUES ET ANTISYMETRIQUES DANS LES SEMICONDUCTEURS
Mots clés
Mots clés : Ionicité , Pseudopotentiel , Semiconducteur
Résumé
Résum é Le but de ce travail est d’étudier la variation des facteurs de forme symétriques Vs(3), Vs(8), Vs(11), et antisymétriques Va(3), Va(4), Va(11), des pseudopotentiels en fonction de l’ionicité dans les semiconducteurs suivants : IV: Ge, Si . III-V : AlSb, GaSb, AlAs, GaAs, InSb, AlN, InN, InP, InAs. II- VI : MgS, MgSe, ZnS, ZnSe. Dans cette étude, on a utilisé la méthode empirique des pseudopotentiels( E.P.M) afin de calculer la structure de bande électronique et par conséquent le facteur d’ionicité .Ce dernier a été calculé en utilisant le gap antisymétrique et l’énergie de cohésion . Nos calculs ont montré que le gap antisymétriques dans des résultats plus proches à ceux de littérature . Abstract The purpose of this work is to study the variation of the symmetric form factors Vs(3), Vs(8), Vs(11), and antisymmetric form factors Va(3), Va(4), Va(11) of the pseudopotential in function of the ionicity in the following semiconductors : IV: Ge, Si . III-V : AlSb, GaSb, AlAs, GaAs, InSb, AlN, InN, InP, InAs. II- VI : MgS, MgSe, ZnS, ZnSe. In this study the empiric pseudopotential method has been used in order to calculate the electronic band structur thus, the ionicity factor . This last has been calculated using the antisymmetric gap and the cohesion energy . Our calculations have shown that, the antisymmetric gap has given a close results to the one in the literature .
Date de soutenance
08 / 07 / 2004
Pagination
70
Format
pdf
Statut
Traitée