Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de M’Sila - Mohamed Boudiaf
Affiliation
Institut de Physique
Auteur
Aouina, Nabila Yasmina
Directeur de thèse
.N. Bouarissa
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Magister
Titre
Effet de la pression hydrostatique sur les propriétés électroniques du semiconducteur AlAs dans la phase zinc blende
Résumé
L’effet de la pression hydrostatique sur les propriétés électroniques du AlAs couvrant tout l’intervalle de pression de 0 kbar à 120 kbar a été calculé par l’utilisation du modèle locale de la méthode pseudopotentiel. Cette dernière est combinée avec le modèle d’Harrison afin de déterminer les constantes d’élasticité qui sont utilisées pour formuler le critère de la stabilité généralisée et d’analyser l’instabilité du matériau qu’on s’intéresse à étudier. Nos quantités calculées, nommés gaps d’énergie, masses effectives et constantes d’élasticité sont en très bon accord avec les données expérimentales. Les propriétés électroniques calculées se comportent non linéairement avec 0 a a . Nous avons trouvé que la structure de bande et la densité de charge sont affectées par la pression. La généralisation du critère de la stabilité a prédit qu’il n’y a aucune transformation de phase structurelle du AlAs sous pression hydrostatique jusqu’à 120 kbar qui est consistent avec les observations expérimentales par spectroscopie de Raman et la diffraction des rayons X qui donc confirment la validité de ce critère dans la prédiction des transitions de phases structurelles dans les composés semiconducteurs comme c’est rapporté avec des résultats théoriques récents
Date de soutenance
2003
Pagination
90
Format
pdf
Statut
Traitée