Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de M’Sila - Mohamed Boudiaf
Affiliation
Département Electronique
Auteur
CHEDRI, Adel
Directeur de thèse
CHIKOUCHE Djamel (Professeur)
Co-directeur
OUENNOUGHI Zahir (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Etude et modélisation d’un transistor MOS de puissance en carbure de silicium
Mots clés
Transistor MOS ; SiC ; Modélisation ; VHDL-AMS
Résumé
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semiconducteur à large bande interdite. Il présente un champ électrique d’avalanche plus important que le silicium (Si) (2 – 4.10 6 V/cm), une grande vitesse de saturation des électrons (2.10 7 cm/s) et une haute conductivité thermique (4,9 W/cm-K). Au vu de ses propriétés, il est devenu une alternative sérieuse au silicium (Si) dans toutes les applications où la température, le niveau de radiation ou la corrosion peuvent endommager les composants électroniques. Le SiC facilite ainsi la fabrication de composants d’une tenue en tension plus élevée, ce qui réduit l’encombrement des systèmes et permet la conception systèmes embarqués de plus grande puissance. Les applications des composants SiC en électronique haute température, haute fréquence et haute tension sont de plus en plus importantes dans des domaines aussi variés que le transport aérien, la distribution électrique, l’aérospatial, les véhicules hybrides, les énergies renouvelables … L’objectif de ce travail est d’étudier la structure d’un transistor SiC MOS. Ensuite d’établir un modèle analytique du transistor basé sur l’analyse physique et comportementale de celui-ci en tenant compte de l’effet de la température. Le modèle ainsi développé- en langage VHDL-AMS - devra être validé en comparant les résultats obtenus de la simulation aux résultats expérimentaux.
Statut
Signalé