Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de M’Sila - Mohamed Boudiaf
Affiliation
Département Electronique
Auteur
Saada khelkhal, Fayçal
Directeur de thèse
BOUTOUT Farid (Maitre de conférence)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Contribution a l’Etude et la Modelisation Des transistors a Effet de Champ Microondes
Mots clés
HEMT ; GAZ 2D ; COMPOSANTS MICROONDE ; SCHRODINGER-POISSON
Résumé
L’objectif de ce travail est l’élaboration d’un modèle de résolution , physique numérique , de structures nanométriques de type HEMT (High Electron Mobility Transistor)en vue de l’obtention de leurs performances pour les applications radiofréquences.la simulation du phénomène de transport du gaz bidimensionnel(gaz2D)dans les heterostructures HEMT nécessite une résolution auto cohérente du système d’équations de boltzmann,qui constituent la méthode standard utilisée pour les problèmes nanométrique.
Statut
Signalé
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