Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Mostaganem - Abdelhamid Ibn Badis
Affiliation
Département Electronique
Auteur
BENOSMANE, Wiame
Directeur de thèse
Mr BOUKORTT abdelkader (Maitre de conférence)
Filière
Génie Civil
Diplôme
Doctorat
Titre
Influence du dopage en trous sur les propriétés électroniques optiques et magnétiques des semiconducteurs magnétiques dilués II-VI.
Mots clés
FPLAPW, Dopage en trous, DMS, optique spintronique, magnétisme
Résumé
l’intéret des DMS a été suscité, il y a quelques décennies, par les travaux sur les semi-conducteurs II-VI. Le DMS à base de semi-conducteurs II-VI et III6V dopés par les métaux de transition 3d comme (As, P, Sb, N, Al, Ga, B,...) présenteent deux caractéristiques importantes: La concentration de Mn peut s’élever jusqu’à une dizaine de pourcent ( en utilisant des techniques d’épitaxie par jets moléculaires, MBS) La concentration de porteurs peut-etre controlée dans une large gamme et permet de choisir entre la concentration de deux type n ou de type p Ces deux aspects offrent la possibilité de variés le comportement magnétique en changeant la concentration des porteus. Le calcul des propriétés optiques et magnétiques en fonction du dopage en trous nous permet par substitution de anions avec les éléments de la colonne V(N,P..) Nous allons montrer par billet des méthodes ab-initio, comment prédire les propriétés importantes sur la nature du magnétisme. Différentes études systématiques nous ont permises d’étudier l’influence de la concentration des impuretés en trous sur les principales propriétés.
Statut
Signalé