Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Mostaganem - Abdelhamid Ibn Badis
Affiliation
Département Electronique
Auteur
Baghdoud, Nawal
Directeur de thèse
Hadri , baghdad (Maitre de conférence)
Filière
Microélectronique
Diplôme
Doctorat
Titre
L’optimisation des transistors STI-LDMOS à canal N.
Mots clés
MOS - Transistors de puissance - canal N - Silvaco.
Résumé
La taille des transistors DMOS est limitée par la longueur de la région de " drift" qui permet de tenir la haute tension et par la longueur et le nombre de cellules élémentaires qui permettent de fournis plus de courant. la région de "drift" ajoute une forte résistance qui pénalise la résistance à l’état passant. C’est dans ce contexte que le sujet s’oriente vers l’optimisation de ces nouveaux transistors STI-LDMOS haute tension à canal N. L’optimisation de ces structures sera faite à partir de simulation technologique et électriques utilisant SILVACO (Atlas et Athena).
Statut
Signalé