Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Mostaganem - Abdelhamid Ibn Badis
Affiliation
Département Electronique
Auteur
Lamhal, Khadra
Directeur de thèse
Mr BOUKORTT ABDELKADER (Professeur)
Filière
Microélectronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Influence des dopants sur les propriétés électroniques optiques et magnétiques des composés II-VI et III-V Etude de premier principe
Mots clés
FPLAPW, stabilité structurales, optiques, magnétismes, , ZnO, GaN, DMS
Résumé
La principale motivation de cette étude consistait à évaluer l’impact des propriétés particulières de ZnO, ZnTe, GaN et GaAs, telles que leur grande énergie de bande interdite, la forte énergie de liaison de l’exciton et le faible couplage spin-orbite, sur les temps de relaxation de spin des porteurs.. Les semi-conducteurs usuels tels que les composés II-VI ( ZnO, ZnTe) qui sont diamagnétiques peuvent être rendus ferromagnétiques par un dopage avec des métaux de transitions 3d. Nous allons montrer par le billet des méthodes ab-initio, comment prédire les propriétés importantes sur la nature du magnétisme. En particulier nous allons discuter les cas de ZnCoO, et ZnMnO. Différentes études systématiques nous ont permises d’étudier l’influence de la concentration des trous et de Mn sur les principales propriétés. On se propose de participer à cette quête par une étude théorique. Il est prévu d’étudier les similitudes et différences entre les semi-conducteurs à base de zinc et les semi-conducteurs III-V comme GaN, toujours dopés avec des ions magnétiques. Il est particulièrement important de comprendre l’effet du couplage fort entre les moments magnétiques localisés et les spins des porteurs de la charge. Ce dernier effet était récemment trouvé dans nos calculs pour ZnO :Co et ZnO:Mn mais pas encore étudié en détails.
Statut
Signalé