Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Laghouat - Amar Telidji
Affiliation
Département de Génie des Matériaux
Auteur
DAHAME, Tahar
Directeur de thèse
LEFKAIER Ibn Khaldoun (Professeur)
Co-directeur
HALIT Mohamed (Maitre de conférence)
Filière
Génie des matériaux
Diplôme
Magister
Titre
Etude ab-initio des propriétés électroniques et optiques du Sélénium, du Tellure et des composés binaires (ZnTe, CdTe, HgTe)E=Se,Te) par la méthode des pseudo potentiels et les ASWM dans le cadre de la dft
Mots clés
Tellure, Sélénium, Structure électronique, Semiconducteurs II-VI, Otique non linéaire, indice de réfraction, successibilité électrique
Résumé
Le but de ce travail est l’optimisation des paramètres cristallins et le calcul des structures électroniques et des propriétés optiques des matériaux simple Se et Te et des composés binaires ZnTe, CdTe et HgTe par la méthode de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT "Density Functional Theory". Pour le calcul des structures électroniques on a utilisé deux approches (tout électrons et pseudopotentiels) avec les deux approximations LDA "Local Density Approximation" et GGA "Generilized Gradiant Approximation", Les propriétés optiques linéaires et non linéaires de ces matériaux sont calculées par la théorie moderne de la polarisation couplée à la DFT (PDFT perturbation DFT) moyennant la méthode des pseudopotentiels. Les valeurs des indices de réfraction et des successibilités électriques du second ordre obtenus sont en bon accord avec les valeurs expérimentales.
Date de soutenance
02/07/2009
Pagination
I-IX-192p
Illusatration
ill.graph.;tabl.fig.
Format
29cm
Notes
Bibliogr.
Statut
Soutenue