Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Laghouat - Amar Telidji
Affiliation
Département de Génie Electrique
Auteur
LARBI, Ferdi
Directeur de thèse
FARAOUN Houda Imane (Maitre de conférence)
Co-directeur
BENTRIA Bachir (Maitre de conférence)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
ÉTUDE DE PREMIER PRINCIPE DU COMPOSÉ Ag(Ga, In)Se2
Mots clés
DFT, FPLAPW, ab initio, chalcopyrites, Structure électronique
Résumé
Les cellules solaires à base de chalcopyrites ont acquit un intérêt considérable grâce à la large variabilité des propriétés offerte par ces matériaux. Plus particulièrement, les scientifiques s’intéressent à l’ajustement du gap énergétique sur l’un intervalle de valeur qui couvre le spectre visible. Les composés chalcopyrites ont un gap direct qui en fait des candidats adéquats pour les couches minces dans les applications photovoltaïques. Ces matériaux appartiennent à la famille des matériaux semi-conducteurs I-III-VI2 qui cristallisent dans la structure tétragonale. Cette structure est apparentée à la structure cubique zinc-blende des semi-conducteurs II-VI. Dans ce travail, nous entrant d’étudier en utilisant la théorie de la DFT (ab initio) les deux composé AgInSe2 et AgGaSe2 ainsi que leur alliage.
Date de soutenance
11/04/2013
Cote
THL9.309
Pagination
99p
Illusatration
ill.ill.en coul.grap
Format
29cm
Notes
Bibliographie
Statut
Soutenue