Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Laghouat - Amar Telidji
Affiliation
Département de Chimie
Auteur
MAHAMMEDI, Ahmed Nassim
Directeur de thèse
Bachir BENTRIA (Maitre de conférence)
Filière
Physique
Diplôme
Magister
Titre
ÉTUDE ab-initio DES DÉFAUTS INTRINSÈQUES DANS LES MATÉRIAUX CHALCOPYRITES Cu-III-S2
Mots clés
Semiconducteur, chalcopyrite-défaut- lacune- ab-initio, DFT, pseudopotentiel, LDA, GGA, énergie de formation
Résumé
Les chalcopyrites Cu-III-VI2, sont des semiconducteurs très prometteurs pour les applications dans les cellules solaires en couches minces à haut rendement, en particulier les Cu-III-S2. L’objectif principal de ce travail est de calculer les énergies de formation de lacunes présentes au sein des structures chalcopyrites de type Cu-III-S2. Ces matériaux sont des semiconducteurs très prometteurs pour la fabrication des cellules photovoltaïques en couches minces. Les propriétés structurales et électroniques des structures CuInS2, CuGaS2 et CuAlS2 ont été calculés par la méthode des pseudopotentiels. Cette dernière se base sur la théorie de la fonctionnel de la densité (DFT). Les paramètres de mailles et les positions atomiques sont optimisées, les structures de bandes d’énergies et les densités d’états électroniques pour les trois matériaux sont calculés et sont en bon accord avec les résultats expérimentaux disponibles. La deuxième étape consiste à calculer l’énergie de formation des défauts lacunaires dans les trois structures, tous ces calculs ont été menés par le code ABINIT
Date de soutenance
31/05/2012
Cote
THL9-299
Pagination
i-iii-98p
Illusatration
ill.graf.fig.
Format
29cm
Notes
bibliogr
Statut
Soutenue