Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Biskra - Mohamed Khider
Affiliation
Département des Sciences des Matériaux
Auteur
BOUZIANE, Nabil
Directeur de thèse
LEDRA Mohamed
Filière
Physique des Matériaux Métallique
Diplôme
Doctorat
Titre
Simulation du courant induit par faisceau lumineux (LBIC) dans un semiconducteur contenant une distribution de deslocations.
Mots clés
LBIC, cellule solaire, silicium polycristallins, efficacité de collecte, Simulation Monte Carlo
Résumé
Les semi-conducteurs polycristallins utilisés pour les applications photovoltaïques, en particulier le silicium, ont été intensivement étudiés et des progrès considérables ont été réalisés dans le domaine de la technologie des cellules solaires mais le rendement reste faible. Cette contreperformance est due essentiellement à la faible mobilité des porteurs majoritaires et la durée de vie des porteurs minoritaires causées par le piégeage des porteurs dans les défauts (joints de grains, précipités, dislocations,…). Les dislocations sont connues comme sites de recombinaison, ce qui résulte une limitation importante des performances des dispositifs technologiques tels que les cellules solaires, les photodétecteurs et les transistors bipolaires (Réduction de la rapidité des porteurs et abaissement du rendement). L’effet habituel de recombinaison des dislocations peut être décrit par une durée de vie ou une longueur de diffusion effective qui est liée à leur géométrie leur densité et leur activité individuelle. La technique LBIC (Light Beam Induced Current) est largement utilisée pour la mesure des paramètres phénoménologiques caractérisant la recombinaison des porteurs sur un défaut et en particulier sur une distribution de dislocations. Cette technique, LBIC, consiste à générer des porteurs excédentaires dans le matériau par un faisceau lumineux et à exploiter les informations contenues dans le courant induit. Dans ce travail nous nous proposons de développer un algorithme de simulation par la méthode de Monte Carlo du courant LBIC en absence et en présence d’une distribution de dislocations dans un semiconducteur ensuite nous présentons et nous comparons les résultats simulés avec ceux de la littérature.
Réponse CS
Validé
Statut
Validé