Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Biskra - Mohamed Khider
Affiliation
Département des Sciences des Matériaux
Auteur
BOUMAARAF, Rami
Directeur de thèse
Nouredine Sengouga
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Doctorat
Titre
Simulation de l’effet de la température sur une structure Schottky Arséniure de Gallium sur Silicium par SILVACO
Mots clés
jonction Schottky, GaAs sur Silicium, capacité, défauts, temperature,Silvaco.
Résumé
Les structures Schottky sont utilisées dans plusieurs domaines tels que les LASERS ; les cellules solaires et circuit électroniques. L’arséniure de gallium est un semiconducteur utilisé dans des applications de conversion électricité-lumière tels que les LEDs et LASERs à cause de son gap d’énergie direct. Puisque le silicium est un matériau moins cher ; il est utilisé comme substrat pour la réalisation des structures en arséniure de Gallium. L’orientation du substrat a une très grande influence sur les caractéristiques des structures réalisées. Ces structures doivent être caractérisées avant toute utilisation. Parmi les méthodes de caractérisation on cite les caractéristiques courant-tension et capacité-tension. Récemment des structures ont été fabriquées et caractérisées à l’Université de Nottingham (GB). L’influence de la température sur les caractéristiques courant-tension et capacité-tension est étudiée. Il a été observé un comportement étrange dans l’effet de la température telle que des facteurs d’idéalité élevé et la none monotonie de l’effet de la température. En utilisant la technique DLTS il a été observé un très grand nombre des défauts du à l’interface GaAS-Si. Donc les effets observés sont probablement due à la présence de ces défauts.
Réponse CS
le sujet validé
Statut
Validé