Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Biskra - Mohamed Khider
Affiliation
Département des Sciences des Matériaux
Auteur
MIHI, Sana
Directeur de thèse
Afak Meftah (Professeur)
Co-directeur
Nouredine Sengouga (Professeur)
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Magister
Titre
Comparaison par simulation numérique entre les caractéristiques électriques d’une cellule solaire en Si et : une autre en Si intégré sur un substrat en GaAs
Mots clés
Cellule solaire,si,GaAs,GaAs/si,numerical simulation, SILVACO-ATLAS
Résumé
Ce travail est une simulation numérique des propriétés électriques ; caractéristique (J-V) et réponse spectrale, d’une cellule solaire en Si sur un substrat en GaAs. La simulation a été faite par le logiciel SILVACO-ATLAS au sein du laboratoire des matériaux semiconducteurs et métalliques (LMSM) à l’université de Biskra. Cette cellule est comparée par la suite avec une cellule Si simple, une cellule GaAs simple et finalement une cellule GaAs sur un substrat en Si. Les résultats que nous avons obtenu montre que les cellules GaAs et GaAs/Si ont un meilleur rendement de conversion (19%) or la réponse spectrale de la cellule Si/GaAs est plus meilleur. Une optimisation de la cellule Si/GaAs sur la base des épaisseurs, du dopage et de la composition de la couche antireflet a permis d’augmenter le rendement de conversion de la cellule à 18.43%.
Date de soutenance
04/07/2012
Cote
Thé/1454
Pagination
01
Illusatration
105
Format
4
Notes
Ce travail est une simulation numérique des propriétés électriques ; caractéristique (J-V) et réponse spectrale, d’une cellule solaire en Si sur un substrat en GaAs. La simulation a été faite par le logiciel SILVACO-ATLAS au sein du laboratoire des maté
Statut
Soutenue