Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Biskra - Mohamed Khider
Affiliation
Département des Sciences Nature et de la vie
Auteur
MEZRAG, Fadila
Directeur de thèse
Nadir BOUARISSA (Professeur)
Co-directeur
Lakhdar DEHIMI (Professeur)
Filière
Physique de Solide
Diplôme
Magister
Titre
Etude des propriétés optoélectroniques et diélectriques des matériaux semiconducteurs
Mots clés
Optical properties; Dielectric properties; II-VI ternary alloys CdZnSe; Refractive index; Quaternaries; CdZnSeTe; Mismatched alloys.
Résumé
Nous rapportons dans ce travail une étude des propriétés optoélectroniques et diélectriques des alliages semiconducteurs : ternaires et quaternaires , dans la structure zinc blende. Ces alliages ont un intérêt important pour la conception des dispositifs optoélectroniques tels que, les cellules solaires, les dispositifs luminescents et les diodes laser. Les calculs sont principalement basés sur l’approche du pseudopotentiel empirique avec l’approximation du cristal virtuel VCA. Ces méthodes sont simples, donnant des résultats rapides et raisonnablement fiables et sont utiles pour prédire les propriétés des matériaux dans toute la gamme de composition des alliages . La connaissance des propriétés physiques et le comportement de ces matériaux est évidemment essentiel pour l’évaluation de leur domaine d’application. Dans le cas de l’alliage , l’accord avec les données théoriques n’est obtenue que lorsque l’effet du désordre compositionnel est inclus dans le calcul. La dépendance de la concentration en zinc des paramètres choisis du , tels que, le gap énergétique , constantes diélectriques indice de réfraction, ont été examiné. Toutes les quantités étudiées varient de façon monotone avec la concentration x en zinc. Les constantes diélectriques de haute fréquence et statique ont été mis à l’échelle avec le gap d’énergie fondamental, une telle mise à l’échelle a montré que la variation des constantes diélectriques par rapport à Eg présente un comportement non-linéaire. Nos résultats montrent que le en accord de maille avec ZnTe est un semiconducteur a gap direct, pour toutes les valeurs de x et y (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 0,879). Les quantités étudiées sont trouvées fortement dépendantes du pourcentage du désaccord de maille. La présente étude offre d’avantage possibilités pour obtenir des indices de réfraction et des constantes diélectriques, tout en contrôlant les paramètres de composition (x et y) ou le pourcentage de désaccord de maille.
Date de soutenance
08 / 07 / 2012
Cote
Thé/1453
Pagination
01
Illusatration
93
Format
4
Notes
Nous rapportons dans ce travail une étude des propriétés optoélectroniques et diélectriques des alliages semiconducteurs : ternaires et quaternaires , dans la structure zinc blende. Ces alliages ont un intérêt important pour la conception des
Statut
Soutenue