Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Biskra - Mohamed Khider
Affiliation
Département de Génie Electrique
Auteur
Bounif, Salaheddine
Directeur de thèse
Sengouga Nouredine (Professeur)
Co-directeur
Hemaizia Zahra (Maitre de conférence)
Filière
Electronique : Semi Conducteur
Diplôme
Doctorat
Titre
Modélisation des transistors à effet de champ à hétéro-jonction par la méthode FTTD
Mots clés
Transistor à effet de champ (FET), HEMET, pHEMT, Modèle distribué, non linéaire, Microondes, Arséniure de Gallium(GaAs), FTTD (finite difference time domain).
Résumé
Dans ce travail on propose une analyse dans le domaine temporel d’un transistor à effet de champ à base d’Arséniure de Gallium (GaAs), (PHEMT et MESFET). Cette analyse repose sur l’extraction des équations différentielles depuis les modèles de distribution non-linéaires des transistors qui seront en suite résolus par méthode FDTD (finite difference time domain). Les résultats seront comparés avec celle issue d’un logiciel de simulation.
Statut
Validé