Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
BELKACEMI, Siham
Directeur de thèse
Hafdi Zoubeida (Maitre de conférence)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Analyse d’un transistor a-si:H TFT en régime dynamique
Mots clés
a-Si, a-Si:H TFT, modèle dynamique.
Résumé
Dans l’industrie microélectronique, les logiciels utilisés se basent sur des modèles électriques pour la conception des circuits intégrés (CI). Ces modèles varient d’un composant à un autre selon la nature du matériau de base et le circuit équivalent qui lui est attribué. Alors, avec l’évolution de la technologie des CI vers ce qu’on appelle les nouvelles technologies, certains de ces logiciels se trouvent incomplets, leurs modèles ne couvrant pas ces nouveaux matériaux. La technologie a-Si (amorphous silicon) étant l’une d’elles, doit être « supportée » par certains de ces logiciels et présenter de nouveaux modèles pour décrire les caractéristiques représentatives du transistor en couches minces à base de silicium amorphe hydrogéné (a-Si :H TFT) (en tant que composant de base) en régimes statique et dynamique. Notre objectif portera donc sur la modélisation d’un transistor a-Si:H TFT en régime dynamique et la description de ses caractéristiques physiques et électriques pour plusieurs conditions de simulation, le but étant la conception de circuits stables à long terme.
Statut
Validé