Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Batna 2 - Mustafa Ben Boulaid
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
Mokhtache, Hamza
Directeur de thèse
Hafdi. Z (Docteur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
La technologie a-si pour la conception de circuits numériques
Mots clés
circuits logiques, hydrogene, Dynamique, marge de bruit
Résumé
L’organisation de notre travail est ainsi répartie en quatre chapitres comme suit:Dans le premier chapitre, nous allons essayer de donner un aperçu bibliographique général sur les circuits logiques, leur conception, leurs types et leurs caractéristiques qui, en les maîtrisant, permettront une bonne optimisation de leur fonctionnement, Le deuxième chapitre traitera de la physique des a-Si:H TFTs et des problèmes de la métastabilité inhérente au silicium amorphe, Le troisième chapitre s’intéressera à l’étude de l’inverseur logique en tant qu’élément de base pour la construction de circuits numériques quelle que soit leur complexité, Enfin, dans le quatrième chapitre, seront présentés les résultats obtenus dans le présent travail. Nous présenterons d’abord l’effet des différents paramètres relatifs au silicium amorphe sur les caractéristiques du transistor en couches minces
Date de soutenance
2012
Cote
M/620/147
Pagination
82 p.
Format
29 cm.
Notes
Annexes, bibliographie
Statut
Soutenue