Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Batna 1 - Hadj Lakhder
Affiliation
Département de Physique
Auteur
Hadibi, Abouel feteh
Directeur de thèse
Merazga Amar (Professeur)
Co-directeur
(Docteur)
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Magister
Titre
Modèle "defect pool" et photoconductivité en régime stationnaire dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H)
Mots clés
Defect pooL; Modéle de Photoconductivité
Résumé
Le présent travail consiste en la simulation numérique de la Photoconductivité en régime Stationnaire (PCS) dans le Silicium Amorphe Hydrogéné (a-Si:H) en prenant pour structure électronique du matériau la distribution énergétique des états des défauts calculée par le modèle "defect pool" (MDP). Ce calcul tient en compte les réactions d’équilibre chimique intervenant dans le mécanisme de conversion des liaisons faibles en liaisons pendantes. La réponse du matériau à une excitation optique continue est ensuite modélisée é dans les conditions de quasi-équilibre du système. Les résultats de la PCS obtenues par simulation montrent un bon accord avec des résultats expérimentaux é correspondants pris de la lit é rature. L’interprétation e l’allure générale de la PCS en fonction de la température dans le cas du a-Si:H intrinsèque est faite en examinant la dépendance de température des différentes charges et taux de recombinaisons dans les états es queues de bande de conduction et de valence et des liaisons pendantes. dans le cas du a-Si:H dopé de type n, le tracé de la PCS en fonction de l’intensité t’excitations montre une dépendance caractérisé par un indice de puissance inférieure à 0.5, ce qui est aussi en bond accord avec les valeurs expérimentalement observés
Date de soutenance
2004
Cote
TH1.4177
Pagination
77 p.
Illusatration
ill.
Format
30 cm.
Statut
Soutenue