Etablissement
Ecole nationale polytechnique d'Oran -Maurice Audin
Affiliation
Département de Physique-Chimie
Auteur
OUERDANE, A
Directeur de thèse
H.BOUABDESSELEM
Co-directeur
N.BETTAHAR
Filière
Physique
Diplôme
Doctorat
Titre
CARACTÉRISATION ET MISE EN ÉVIDENCE DES PROPRIÉTÉS PHYSIQUE DES COMPOSES III-V AN APPLICATIONS TECHNIQUES
Mots clés
PHYSIQUE CARACTÉRISATION PROPRIÉTÉS
Résumé
Les matériaux semi-conducteurs ont des propriétés physiques très intéressantes pour les applications électroniques et optiques .Ces propriétés les rendent très sollicités pour la réalisations des équipements électroniques et optoélectroniques .La plus grande partie des composants telles que les diodes, es transistors , et les circuits intégrés ou puces sont à base du silicium et du germanium. Cependant les propriétés du silicium et du germanium restent insuffisantes vu les faibles mobilités de leurs porteurs et vu que leurs transitions électroniques sont de type indirecte au seuil d’absorption optique. Pour surmonter ces difficultés on utilise les composés semi-conducteurs III-V tels que le GaAs,InP,InSbInN.
Date de soutenance
2008
Cote
TH/02/50
Pagination
125
Format
21/30
Statut
Soutenue