- Ecole nationale polytechnique d'Oran -Maurice Audin - Département de Physique-Chimie - SAURET J - ANALYSE THÉORIQUE DES DÉFAUTS INTRODUITS PAR DES NEUTRONS DANS LE SILICIUM ENTRE 10 KeV ET 14 MeV APPLICATION A LA PRÉVISION DE LA DÉGRADATION DES PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES DU SILICIUM

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- Ecole nationale polytechnique d'Oran -Maurice Audin - Département de Physique-Chimie - SAURET J - ANALYSE THÉORIQUE DES DÉFAUTS INTRODUITS PAR DES NEUTRONS DANS LE SILICIUM ENTRE 10 KeV ET 14 MeV APPLICATION A LA PRÉVISION DE LA DÉGRADATION DES PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES DU SILICIUM

Etablissement Ecole nationale polytechnique d'Oran -Maurice Audin Affiliation Département de Physique-Chimie Auteur SAURET, J Directeur de thèse F.CAMBOU Co-directeur G.VEDRENNE Filière Physique Diplôme Doctorat Titre ANALYSE THÉORIQUE DES DÉFAUTS INTRODUITS PAR DES NEUTRONS DANS LE SILICIUM,ENTRE 10 KeV ET 14 MeV APPLICATION A LA PRÉVISION DE LA DÉGRADATION DES PROPRIÉTÉS ÉLECTRONIQUES DU SILICIUM Mots clés NEUTRONS SILICIUM ÉLECTRONIQUES Résumé L’irradiation du silicium par des neutrons rapides entraîne une forte dégradation des propriétés électriques (durée de vie des porteurs minoritaires, propriétés de transfert liées aux porteurs majoritaires. Le dommage responsable de la dégradation se présente sous deux aspects : déplacement des atomes hors de leur position d’équilibre. Dans ce mémoire ,le modèle du dommage uniformément réparti est d’abord traité , à l’aide de données récentes ,pour donner en fonction de l’énergie neutronique une ‘’ courbe relative de dommage’’ qui actualise les courbes précédemment publiée .Ceci du point de vue du dommage par ionisation aussi bien que du dommage par déplacement atomique . Date de soutenance 26/05/1975 Cote TH/02/38 Pagination 88 Format 21/30 Statut Soutenue

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