- Ecole nationale polytechnique d'Oran -Maurice Audin - Département de Génie Electrique - LAHOUAL M - ÉTUDE DE CARACTÉRISATION D UN MESFET-GAAS HYPERFRÉQUENCE ET APPLICATION EN CIRCUIT AMPLIFICATEUR LINÉAIRE A FAIBLE BRUIT (LNA) EN BANDE ÉTROITE AUTOUR DE 10GHz EN TECHNOLOGIE MMIC POUR LES SYSTÈMES A COMMUNICATION RAPIDES

Business Listing - April 01, 2020

- Ecole nationale polytechnique d'Oran -Maurice Audin - Département de Génie Electrique - LAHOUAL M - ÉTUDE DE CARACTÉRISATION D UN MESFET-GAAS HYPERFRÉQUENCE ET APPLICATION EN CIRCUIT AMPLIFICATEUR LINÉAIRE A FAIBLE BRUIT (LNA) EN BANDE ÉTROITE AUTOUR DE 10GHz EN TECHNOLOGIE MMIC POUR LES SYSTÈMES A COMMUNICATION RAPIDES

Etablissement Ecole nationale polytechnique d'Oran -Maurice Audin Affiliation Département de Génie Electrique Auteur LAHOUAL, M Directeur de thèse A.SAIDANE Co-directeur D.CHALABI Filière Electronique Diplôme Magister Titre ÉTUDE DE CARACTÉRISATION D UN MESFET-GAAS HYPERFRÉQUENCE ET APPLICATION EN CIRCUIT AMPLIFICATEUR LINÉAIRE A FAIBLE BRUIT (LNA) EN BANDE ÉTROITE AUTOUR DE 10GHz EN TECHNOLOGIE MMIC POUR LES SYSTÈMES A COMMUNICATION RAPIDES Mots clés PETIT SIGNAL MESFET-GaAs HYPERFEQUENCE Date de soutenance 2008 Cote TH/04/154 Pagination 95 Format 21/30 Statut Soutenue

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