Etablissement
Ecole nationale polytechnique d'Oran -Maurice Audin
Affiliation
Département de Génie Electrique
Auteur
HAMMOU, D
Directeur de thèse
A.BELAIDI
Co-directeur
A.SAIDANE
Filière
Génie Electrique
Diplôme
Magister
Titre
CARACTÉRISATION DES COMPOSANTS PASSIFS INTÉGRÉS SUR SILICIUM POUR APPLICATIONS RADIOFRÉQUENCES
Mots clés
COMPOSANTS PASSIFS RADIOFRÉQUENCES
Résumé
Le travail présenté dans ce mémoire se caractérise par la mise en place d’une procédure de caractérisation et d’extraction de modèle basés sur la mesure fréquentielle des paramètres S (scattering paramètres) dans la bande de 45Mhz a 12Ghz. Il s’agit donc dans ce travail, d’appréhender par la mesure et la simulation, les problèmes rencontrés ans l’intégration RF des éléments passifs sur silicium, à savoir les lignes adjacentes et les inductances planaires intégrées. La première partie repose sur la mise en place d’un banc de mesures sous pointes utilisant l’analyse de réseau vectoriel HP 8510B. Cette partie a mis en lumière les parasites systématiques inhérent à l’analyse vectorielle d’où la nécessité de la l’opération d’épluchage, qui permet d’extraire des mesures propres. La 2eme partie est consacrée au développement d’un outil numérique permettant l’extraction du modèle électrique et les performances des composants passifs intégrés sur silicium.
Cote
TH/04/99
Pagination
99
Statut
Soutenue