Auteur
AYOUZ KATA, Chebout
Directeur de thèse
GABOUZE Nourredine (Docteur)
Co-directeur
IRATNI Aicha
Filière
Génie des matériaux
Diplôme
Doctorat
Titre
Dépôt d'oxydes semi-conducteurs sur du silicium et silicium poreux.
Mots clés
Dépôt de couches minces; oxydes de SC, Solg-get; Si/Sip
Résumé
L'oxyde de vanadium (VO2)subit une transition de phase réversible à Tc= 68° cette transition de phase (Méthal-SC) lui acquière des ppts optiques électroniques etc, très intéressantes.Un tel matériaux s’avère d'avantage intéressant, soit sous forme de films minces déposé sur une surface de Si ou Si poreux par exemple,ou même sous forme de pigments utilisés dans les peintures.Ce travail se fera en trois étapes principales:dépôt de couches minces de VO2 sur du verre ou Si, dépôt sur Sip et enfin étude après réalisation du dispositif VO2/Si/Sip (Étude complète)
Statut
Vérifié