Auteur
ANNANE, Farida
Directeur de thèse
BOUJEMAA Bouzid (Docteur)
Filière
Physique
Diplôme
Magister
Titre
Etude des propriétés structurales, électroniques, optiques et thermodynamiques des composés AlP, AlAs, AlSb et leurs alliages par la méthode des ondes planes augmentées et linéarisées (FP-LAPW+lo)
Mots clés
planes augmentées/Etude des propriétés structurales/optiques/thermodynamiques
Résumé
La méthode ab initio des ondes planes augmentées et linéarisées plus orbitales locales (FP-LAPW+lo) dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) a été appliquée pour étudier les propriétés structurales, électroniques , optique et thermodynamiquesdes composés binaires AlP, AlAs et AlSb et leurs alliages ternaires AlAs1-xPx et AlAs1-xSbx . Les énergies totales et les propriétés structurales de ces composées sont calculées pour différentes forme d’approximations de l'énergie d'échange et corrélation PBE-GGA, EV-GGA et PBEsol-GGA. Le calcule des propriétés électroniques montré que tous les composés possèdent des gaps indirects dans la direction (Γ→X). Les résultats obtenus sont en bon accord avec des valeurs rapportées dans la littérature. Pour les alliages ternaires AlAs1-xPx et AlAs1-xSbx, nous avons focalisé notre étude sur la variation des différentes grandeurs en fonction de la concentration (paramètre cristallin, gap énergétique, indice de réfraction). Les constantes du réseau varient linéairement avec la composition montrant la validité de la loi de Végard, cependant une déviation significative du module de compressibilité par rapport à la LCD est observée pour ces alliages. L’origine microscopique du gap énergétique a été expliquée par l’approche de Zunger et al. L’indice de réfraction, et la constante diélectrique ont été calculés par la méthode FP-LAPW, et par le modèle empirique de Reedy et Nazeer , afin qu’on puisse faire une bonne comparaison. Nous avons également étudié les propriétés thermodynamiques des trois alliages où nous avons calculé l’enthalpie du mélange ΔHm et les diagrammes de phases. Mots clés: DFT, FP-LAPW, semi-conducteurs III-V, alliages ternaires .
Statut
Soutenue